Nexperia將在漢堡投資2億美元擴大研發(fā)與生產
【化工儀器網 廠商報道】 在全球經濟一體化的大背景下，跨國投資已成為推動各國經濟發(fā)展的重要力量。近日，全球知名的半導體制造商Nexperia(安世半導體)宣布了一項重大投資計劃，將在德國漢堡投資2億美元(約合1.84億歐元)，以擴大其研發(fā)和生產能力，專注于下一代寬禁帶半導體產品(WBG)如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的研發(fā)與生產。這一舉措不僅標志著Nexperia在電氣化和數字化領域技術支持的深化，也為其漢堡洛克施泰特工廠的百年歷史增添了新的輝煌篇章。
此次投資是在漢堡洛克施泰特工廠成立100周年之際，與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。Nexperia計劃利用這筆資金在漢堡工廠建立生產基礎設施，以支持SiC和GaN等寬禁帶半導體產品的規(guī)?；a。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能也將得到顯著提升，以滿足市場對高效功率半導體日益增長的需求。
Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示：“這項投資鞏固了我們作為節(jié)能半導體領先供應商的地位，使我們能夠更負責任地利用可用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋全系列的寬禁帶半導體，同時仍是最大的小信號二極管和晶體管工廠。我們將繼續(xù)堅定執(zhí)行我們的戰(zhàn)略，為標準應用和高耗能應用生產高質量、具有成本效益的半導體，同時應對我們這一代人面臨的最大挑戰(zhàn)之一：滿足日益增長的能源需求，同時減少對環(huán)境的影響。”
SiC和GaN半導體在數據中心等高功率應用中展現出出色的效率，同時也是可再生能源應用和電動汽車的核心構件。這些寬禁帶技術具有巨大的潛力，對實現脫碳目標具有重要意義。Nexperia計劃從2024年6月開始，在德國研發(fā)和生產SiC、GaN和Si三種技術，并已經于同月投入使用了第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產線。未來兩年，漢堡工廠還將建立現代化、經濟高效的200毫米SiC MOSFET和GaN HEMT生產線，進一步推動技術升級和產能擴大。
除了技術升級和產能擴大，Nexperia還計劃實現漢堡工廠現有基礎設施的自動化，并逐步轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產能。隨著潔凈室區(qū)域的擴大，新的研發(fā)實驗室正在建設中，以確保從研究到生產的無縫過渡。這些舉措將顯著提升工廠的生產效率和產品質量，為全球客戶提供更加優(yōu)質的半導體產品。
Nexperia的此次投資不僅推動了技術進步，還預計能夠刺激當地經濟發(fā)展，為漢堡和整個歐洲創(chuàng)造更多的就業(yè)機會，并增強歐盟半導體自給自足的能力。Nexperia與大學和研究機構密切合作，共同分享專業(yè)知識并推動高素質的員工培訓，確保產品持續(xù)創(chuàng)新和技術領先。
Nexperia德國首席財務官兼常務董事Stefan Tilger表示：“計劃中的投資使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設計和生產。然而，SiC和GaN對于Nexperia來說絕不是新領域。自2019年起，我們的產品組合中就包括GaN FET，而在2023年，我們還與三菱電機合作，擴展了產品范圍，加入了SiC二極管和SiC MOSFET。Nexperia是少數幾家能夠提供全線半導體技術產品系列的供應商之一，包括Si、SiC和涵蓋了E-mode和D-mode的GaN。這意味著，我們?yōu)榭蛻籼峁┝艘徽臼椒眨軌驖M足他們所有的半導體需求。”
自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以來，漢堡洛克施泰特工廠不斷發(fā)展壯大，如今已成為全球約四分之一的小信號二極管和晶體管需求的供應基地。自2017年從NXP分拆以來，Nexperia在漢堡工廠投入了大量資金，員工人數從950人增加到1600人左右，并將技術基礎設施升級到了先進的水平。這些持續(xù)的投入充分展示了Nexperia致力于保持行業(yè)領先地位并為全球客戶提供創(chuàng)新解決方案的決心。
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